Intel 18A-P: Performa 9% Lebih Tinggi, Masuk Produksi Awal

Telset.id – Intel resmi mengumumkan detail teknis proses fabrikasi teroptimasi 18A-P di ajang VLSI 2026, menjanjikan peningkatan performa 9% pada daya yang sama atau efisiensi daya 18% lebih baik. Proses yang merupakan penyempurnaan dari node 18A ini juga telah memasuki tahap risk production.

Berdasarkan laporan dari Tom’s Hardware, Intel memberikan paparan lebih rinci mengenai Intel 18A-P setelah publikasi makalah awal mereka awal tahun ini. Node performa-tinggi ini dirancang untuk digunakan pada produk-produk andalan Intel seperti Panther Lake dan Xeon 6+.

Istilah risk production sendiri merupakan tahap manufaktur semikonduktor tepat sebelum produksi massal volume tinggi. Pada tahap ini, Intel akan memproduksi wafer penuh 18A-P di lini produksi standar, namun dalam skala terbatas. Tujuannya untuk mengumpulkan data mengenai tingkat cacat (defect rate), performa, dan variabilitas sebelum produksi penuh dimulai.

Meskipun bukan node yang sepenuhnya baru, risk production biasanya mendahului produksi massal pada logika canggih dalam kurun waktu 12 hingga 24 bulan. Namun, karena 18A-P adalah revisi dari 18A, timeline yang diprediksi akan lebih ketat.

Kompatibilitas Mundur dan Peningkatan Transistor

Keunggulan utama dari proses 18A-P adalah kompatibilitas mundurnya. Desain yang dibuat untuk 18A dapat langsung di-porting ke 18A-P tanpa perlu perubahan sama sekali. Hal ini memberikan fleksibilitas bagi para perancang chip untuk mengadopsi peningkatan performa tanpa harus mendesain ulang dari awal.

Intel menambahkan tiga desain transistor baru ke dalam perpustakaannya untuk 18A-P. Desain W1 tersedia di perpustakaan tinggi sel 180mm, sementara W1.5 tersedia di perpustakaan tinggi sel 160mm. Keduanya adalah desain sempit yang dioptimalkan untuk konsumsi daya rendah. Sementara itu, desain W3P yang ditingkatkan tersedia di kedua perpustakaan.

Yang paling menarik adalah desain W3P dengan fitur “Power Boost”. Node 18A sudah menggunakan sistem distribusi daya dari sisi belakang (backside power delivery) dengan PowerVia. Teknologi ini menggunakan bagian belakang wafer untuk menyalurkan daya, sehingga membebaskan ruang di sisi depan untuk jalur sinyal dan mengurangi resistansi termal. Desain W3P memiliki kontak di sisi depan dan belakang, mengurangi resistansi parasit dan memungkinkan arus penggerak yang lebih tinggi untuk mempercepat switching.

Untuk mencapai angka performa yang dijanjikan, Intel melakukan pengujian pada subblok inti Arm standar. Peningkatan frekuensi 9% atau pengurangan daya 18% secara spesifik tercatat pada tegangan 0,75 volt. Grafik yang dipublikasikan menunjukkan bahwa bahkan di luar titik tegangan 0,75V tersebut, 18A-P tetap mempertahankan peningkatan frekuensi/daya.

Penambahan VT Pair dan Peningkatan Resistansi Termal

Intel juga menambahkan pasangan tegangan ambang (threshold voltage/VT) baru ke dalam jajarannya. Biasanya, ada empat varian VT: HVT, SVT, LVT, dan ULVT, yang masing-masing menunjukkan tegangan ambang tinggi, standar, rendah, dan sangat rendah. Semakin rendah tegangan ambang, semakin sedikit daya yang dibutuhkan transistor untuk aktif, namun semakin besar daya yang bocor.

Varian baru yang diberi nama ULVTLL (Ultra-Low Voltage Threshold Low Leakage) ini berada di antara ULVT dan LVT. Ia menawarkan performa lebih baik dari LVT namun dengan kebocoran daya yang lebih rendah dari ULVT. Hal ini memberikan lebih banyak fleksibilitas bagi perancang chip untuk menyeimbangkan performa dan efisiensi energi.

Selain perluasan kemampuan, Intel menyebutkan bahwa revisi 18A-P ini hadir dengan peningkatan resistansi termal sebesar 20% hingga 40%, serta peningkatan resistansi via sebesar 10% hingga 30% pada “perf critical layers”. Pengurangan resistansi termal ini dicapai dengan menggiling wafer menggunakan alat EDA canggih untuk konduktivitas termal yang lebih baik.

Node Intel 18A saat ini sedang dalam tahap ramp di dua pabrik AS. Meskipun sempat menuai kritik terkait yield yang rendah, Intel menegaskan bahwa tingkat cacat terus menurun sesuai dengan ekspektasi mereka. Node 18A telah digunakan pada prosesor Panther Lake dan Xeon 6+.

Dengan masuknya 18A-P ke tahap risk production, Intel menunjukkan komitmennya untuk terus mengoptimalkan proses fabrikasinya. Langkah ini juga menjadi sinyal positif bagi mitra dan pelanggan potensial, termasuk Apple dan Nvidia yang dikabarkan sedang dalam pembicaraan untuk menggunakan node 18A.

Keberhasilan Intel 18A-P akan sangat krusial bagi strategi foundry Intel untuk bersaing dengan TSMC dan Samsung. Peningkatan performa dan efisiensi yang ditawarkan, ditambah kompatibilitas mundur yang memudahkan adopsi, memberikan nilai tambah yang signifikan bagi ekosistem semikonduktor.

Keputusan Intel untuk menambahkan varian transistor dan VT pair baru menunjukkan upaya mereka untuk menyediakan toolkit yang lebih kaya bagi para desainer chip. Hal ini memungkinkan optimalisasi yang lebih presisi untuk berbagai aplikasi, dari perangkat mobile berdaya rendah hingga server berperforma tinggi.

Dengan timeline produksi yang lebih ketat dibandingkan node baru sepenuhnya, 18A-P berpotensi menjadi batu loncatan penting sebelum Intel meluncurkan node 10A dan 7A yang telah mulai dikembangkan untuk dekade mendatang. Industri akan mengamati dengan saksama bagaimana performa 18A-P di dunia nyata dan seberapa cepat Intel dapat meningkatkan volume produksinya.