Micron G11 NAND 400 Lapis Siap Produksi Massal 2027

Telset.id – Micron mengonfirmasi bahwa 3D NAND generasi berikutnya, G11, akan masuk produksi massal pada paruh kedua 2027 dengan tiga keunggulan utama: kepadatan penyimpanan dua kali lipat, peningkatan performa I/O hingga 50% dibanding NAND generasi saat ini, dan penurunan konsumsi daya. Perusahaan mengungkap rencana ini dalam sebuah acara pekan ini, seperti dilaporkan Tom’s Hardware.

G11 disebut Micron sebagai NAND paling canggih di dunia. Teknologi ini menjadi tonggak penting karena untuk pertama kalinya Micron mengadopsi wafer-on-wafer bonding, pendekatan yang sebelumnya dipopulerkan YMTC. Langkah ini menandai pergeseran strategi Micron yang selama beberapa generasi menggunakan arsitektur CMOS-under-array.

Scott DeBoer, president and chief technology and products officer Micron, menyatakan bahwa wafer-on-wafer bonding diterapkan pada momen yang tepat. “Kami sudah menyebut akan menghadirkan teknologi wafer-on-wafer bonding pada waktu yang tepat ketika sudah hemat biaya, dan menghadirkan kapabilitas yang penting untuk spesifikasi produk saat itu, dan ini adalah waktu yang tepat untuk teknologi tersebut,” ujarnya dalam acara tersebut.

Wafer Bonding dan Lebih dari 400 Lapis

Salah satu perubahan kunci pada G11 adalah wafer-on-wafer bonding yang memungkinkan Micron memproduksi bagian berbeda dari perangkat NAND pada wafer terpisah menggunakan proses teknologi berbeda. Satu node 3D NAND baru dipakai untuk membangun array NAND, sementara proses fabrikasi logika digunakan untuk membuat sirkuit periferal dan I/O. Keduanya kemudian digabungkan.

Pendekatan ini memberi Micron fleksibilitas tambahan untuk mengoptimalkan array memori dan logika periferal secara independen. Jika semua berjalan sesuai rencana, hasilnya adalah kapasitas dan performa yang lebih tinggi. Inovasi penting lainnya adalah transisi ke lebih dari 400 lapisan NAND.

Micron belum mengungkap jumlah pasti lapisan active wordline atau jumlah memory deck yang digunakan G11. Namun perusahaan menyatakan teknologi ini akan menghadirkan memory cell pitch terdepan di industri, yang mengindikasikan bahwa peningkatan kepadatan berasal dari penambahan lapisan sekaligus pengecilan dimensi sel.

Micron memperkirakan akan mengungkap detail teknis G11 lebih lanjut pada 2027, mendekati dimulainya manufaktur volume tinggi pada paruh kedua tahun tersebut. Perusahaan juga menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lipat dari G9 (3D TLC 21 Gb/mm² menjadi 3D TLC 42 Gb/mm²), peningkatan kecepatan I/O hingga 50% (3.600 MT/s menjadi 5.400 MT/s), serta penurunan energi transfer data per bit lebih dari 25%.

Peningkatan ini disebut akan bermanfaat bagi SSD berkapasitas tinggi konvensional untuk aplikasi klien dan data center, serta perangkat penyimpanan yang berorientasi AI yang membutuhkan bandwidth lebih besar dan efisiensi energi. Sejalan dengan arah pengembangan memorinya, Micron sebelumnya juga mengambil keputusan strategis pada lini DRAM lewat langkah Micron Tolak 4F² DRAM.

Material Baru dan Sel Memori Lebih Padat

Micron memastikan akan melanjutkan scaling 3D NAND di ketiga dimensi, bukan sekadar menambah jumlah lapisan. Jika scaling 3D NAND konvensional awalnya mengandalkan penambahan lapisan memori, generasi mendatang juga menuntut pengurangan dimensi sel pada sumbu X dan Y untuk meningkatkan kepadatan bit sekaligus menjaga kompleksitas manufaktur.

Untuk mencapainya, Micron mengembangkan apa yang disebutnya sebagai material high-mobility terobosan, arsitektur sel ultra-padat, serta perangkat dan jalur data yang lebih hemat energi. Teknologi ini berpotensi memperbaiki karakteristik transistor, memungkinkan pengurangan dimensi sel memori lebih lanjut, dan menurunkan energi yang dibutuhkan untuk memindahkan data di dalam perangkat NAND.

“Di luar G11, kami memiliki roadmap yang kuat, tidak akan membahas terlalu detail hari ini, tetapi benar-benar fokus pada material baru yang memadatkan arsitektur sel, dan terus fokus pada scaling XYZ ke depan,” kata DeBoer. “Arah industri saat ini dan arah Micron adalah scaling dengan menambahkan lapisan sekaligus mengecilkan dimensi sel.”

Micron belum mengungkap detail arsitektur spesifik, target kepadatan, maupun jadwal produksi untuk generasi pasca-G11. Namun roadmap perusahaan mengindikasikan bahwa scaling NAND ke depan akan semakin bergantung pada inovasi material, arsitektur sel, dan sirkuit periferal, bukan hanya pada penambahan jumlah lapisan.

Sementara itu, karena jumlah lapisan aktif disebut sebagai cara termudah untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, perlombaan menuju jumlah lapisan tertinggi diperkirakan tidak akan melambat dalam beberapa tahun ke depan, terutama dengan permintaan kuat terhadap penyimpanan berbasis 3D NAND. Di sisi lain, Micron juga tengah mengkalibrasi portofolio memorinya, termasuk langkah Setop GDDR7 2GB yang dialihkan ke chip memori AI berkapasitas 3GB.

Rencana produksi massal G11 pada paruh kedua 2027 menempatkan Micron dalam posisi yang perlu dicermati, terutama karena perusahaan juga memproyeksikan kondisi pasokan memori yang menantang pada periode tersebut, seperti diulas dalam laporan Kelangkaan RAM dan Storage. Dengan wafer-on-wafer bonding dan lebih dari 400 lapisan, G11 menjadi penanda arah baru kompetisi NAND yang tidak lagi hanya soal jumlah lapisan.