Telset.id – Micron Technology memastikan memori 3D NAND generasi berikutnya, G11, akan masuk produksi massal pada paruh kedua 2027. Teknologi ini diklaim menghadirkan tiga keunggulan sekaligus: menggandakan kepadatan penyimpanan, meningkatkan performa I/O hingga 50% dibanding NAND generasi saat ini, serta menurunkan konsumsi daya. Pengumuman itu disampaikan Micron dalam sebuah acara perusahaan pekan ini.
G11 menjadi tonggak penting bagi Micron karena untuk pertama kalinya perusahaan mengadopsi teknologi wafer-on-wafer bonding pada produk NAND. Langkah ini meniru pendekatan yang lebih dulu dipakai YMTC. Micron juga menyiapkan material baru dan arsitektur sel memori yang lebih padat untuk melanjutkan penskalaan 3D NAND melampaui G11.
Presiden sekaligus Chief Technology and Products Officer Micron, Scott DeBoer, menyebut G11 sebagai NAND paling canggih di dunia. “Kami sudah menyebut akan menghadirkan teknologi wafer-on-wafer bonding pada waktu yang tepat ketika sudah hemat biaya, dan teknologi itu membawa kemampuan yang penting untuk spesifikasi produk saat itu, dan ini waktu yang tepat untuk teknologi tersebut,” kata DeBoer dalam acara perusahaan.
“Jadi teknologi G11 ini adalah NAND paling canggih di dunia. Teknologi ini akan ramp pada paruh kedua tahun depan, dan berbasis teknologi wafer-on-wafer bonding,” lanjutnya.
Lompatan dari G9 ke G11
G11 merupakan kemajuan besar dibandingkan generasi G9 (N160) yang dipakai Micron saat ini. Perusahaan memperkirakan memori baru ini mencapai kepadatan bit sekitar dua kali lipat dari G9, yakni dari 3D TLC 21 Gb/mm² menjadi 3D TLC 42 Gb/mm². Angka itu berarti peningkatan dramatis dibandingkan BiCS10 milik Kioxia maupun V10 milik Samsung.
Selain kepadatan, Micron menargetkan kecepatan I/O naik hingga 50%, dari 3.600 MT/s menjadi 5.400 MT/s. Konsumsi energi untuk transfer data per bit juga dipangkas lebih dari 25%. Peningkatan ini disebut akan menguntungkan SSD berkapasitas tinggi konvensional untuk aplikasi klien dan data center, sekaligus perangkat penyimpanan baru yang berorientasi AI yang membutuhkan bandwidth lebih besar dan efisiensi energi.
Perubahan kunci pada G11 adalah wafer-on-wafer bonding. Teknologi ini memungkinkan Micron memproduksi bagian berbeda dari perangkat NAND pada wafer terpisah dengan proses manufaktur berbeda. Satu wafer untuk membangun array NAND dengan node 3D NAND baru, satu lagi memakai proses fabrikasi logika untuk membuat sirkuit periferal dan I/O. Keduanya kemudian digabungkan.
Micron sebenarnya sudah memakai arsitektur CMOS-under-array selama beberapa generasi. Namun wafer bonding memberi fleksibilitas tambahan untuk mengoptimalkan array memori dan logika periferal secara independen. Jika semua berjalan sesuai rencana, hasilnya adalah kapasitas dan performa yang lebih besar.
Baca Juga:
Lebih dari 400 Lapisan NAND
Inovasi penting lainnya adalah transisi ke lebih dari 400 lapisan NAND. Micron belum mengungkap jumlah pasti lapisan wordline aktif atau jumlah deck memori yang dipakai G11. Meski begitu, perusahaan menyatakan teknologi ini akan menghadirkan memory cell pitch terdepan di industri. Itu mengisyaratkan peningkatan kepadatan datang dari penambahan lapisan sekaligus dimensi sel yang lebih kecil.
Micron berencana mengungkap detail teknis G11 lebih lengkap pada 2027, mendekati dimulainya produksi volume tinggi pada paruh kedua tahun tersebut. Perusahaan juga menegaskan akan terus melakukan penskalaan 3D NAND di ketiga dimensi, bukan sekadar menambah jumlah lapisan.
Jika penskalaan 3D NAND konvensional awalnya mengandalkan penambahan lapisan memori, generasi mendatang juga menuntut pengurangan dimensi sel pada sumbu X dan Y. Tujuannya meningkatkan kepadatan bit sekaligus menjaga kompleksitas manufaktur tetap terkendali.
Untuk mencapainya, Micron mengembangkan apa yang disebutnya sebagai material high-mobility terobosan, arsitektur sel ultra-padat, serta perangkat dan jalur data yang lebih hemat energi. Teknologi ini berpotensi memperbaiki karakteristik transistor, memungkinkan pengurangan dimensi sel memori lebih lanjut, dan menekan energi yang dibutuhkan untuk memindahkan data di dalam perangkat NAND.
“Melampaui G11, kami punya roadmap yang kuat, tidak akan membahas detailnya hari ini, tetapi benar-benar fokus pada material baru yang memadatkan arsitektur sel, dan terus berfokus pada penskalaan XYZ ke depan,” ujar DeBoer. “Arah industri saat ini dan arah Micron adalah melakukan penskalaan dengan menambah lapisan sekaligus mengecilkan dimensi sel.”
Micron belum mengungkap detail arsitektur spesifik, target kepadatan, atau jadwal produksi untuk generasi pasca-G11. Namun roadmap perusahaan menunjukkan bahwa penskalaan NAND di masa depan akan semakin bergantung pada inovasi material, arsitektur sel, dan sirkuit periferal, bukan hanya pada penambahan jumlah lapisan.
Sementara itu, karena jumlah lapisan aktif disebut sebagai cara termudah untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, perlombaan menuju jumlah lapisan tertinggi diperkirakan tidak akan melambat dalam beberapa tahun ke depan. Permintaan terhadap penyimpanan berbasis 3D NAND yang kuat menjadi salah satu pendorongnya.
Langkah Micron ini melengkapi rangkaian strategi memori perusahaan yang belakangan juga menyoroti persoalan pasokan. Sebelumnya, Micron telah memperingatkan bahwa kelangkaan RAM dan storage akan makin parah pada 2027-2028. Di sisi lain, perusahaan juga mengambil keputusan strategis dengan menyetop GDDR7 2GB dan memfokuskan diri pada chip memori AI 3GB.
Dengan G11, Micron menempatkan wafer-on-wafer bonding dan lebih dari 400 lapisan sebagai fondasi produksi massal 2027. Bagi pasar penyimpanan, kepadatan dua kali lipat dan efisiensi energi yang lebih tinggi menjadi tolok ukur baru yang harus dijawab kompetitor seperti Kioxia dan Samsung di segmen NAND generasi mendatang.
Komentar
Belum ada komentar.